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Datos del producto:
Pago y Envío Términos:
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| Material: | 9 x 9 cristal del X.25 milímetro LiNbO3 para el interruptor del EO Q | Origen: | China |
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| Crystal Sturucture: | Trigonal, grupo de espacio R3c, grupo 3M del punto | Punto de fusión: | 1253℃ |
| Delicuescencia: | Ninguno | Gama de la transparencia: | 420-5200nm |
| Coeficiente de absorción: | ~0.1%/cm @1064nm | Índices refractivos: | ne=2.156, no= 2.232@1064nm |
| Alta luz: | Cristal del interruptor linbo3 de Q,EO linbo3 cristalino,cristales del efecto piezoeléctrico del EO |
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9 x 9 cristal del X.25 milímetro LiNbO3 para el interruptor del EO Q
LiNbO3 es también ampliamente utilizado como moduladores y O-interruptores electrópticos para el Nd: YAG, Nd: YLF y Ti: Lasers así como moduladores del zafiro para las fibras ópticas. La lista siguiente de la tabla que las especificaciones de un cristal típicode LiNbO3 utilizaron como Q-interruptor con la modulación transversal del E-O. Las propagaciones ligeras en z-AXIS. Los coeficientes electrópticos de LiNbO3 son: pm/Vde r33=32, pm/Vder31=10, pm/Vder22=6,8enpm/Vde baja fricciónyder33=31, pm/Vder31=8,6, pm/Vder22=3,4enlaaltafrecuenciaeléctrica. Elvoltajede media-onda: Vπ =λd/no3γc1, γc = (ne/no) 3γ33-γ13.
LN puro y LN dopado MgO (MgO: Los cristales de LN) con las capas del oro en las caras laterales para los electrodos están disponibles
Crystro proporciona:
Especificaciones de los componentes de LN EO:
| Distorsión del frente de onda: | Menos que λ/8 @ 633 nanómetro |
| Tolerancia de la dimensión: | (W+/-0.1 milímetro) x (H+/-0.1 milímetro) x (L+0.5/-0.1 milímetro) |
| Abertura clara: | > área central del 90% |
| Llanura: | λ/8 @ 633 nanómetro |
| Calidad superficial: | Rasguño/empuje 10/5 por MIL-O-13830A |
| Paralelismo: | mejor de 20 segundos del arco |
| Perpendicularity: | 5 minutos del arco |
| Tolerancia de ángulo: | Δθ < 0="">o, Δφ < 0="">o |
LiNbO3 especificaciones del Q-interruptor:
| Tamaño | 9 x 9 X.25 milímetro3 o 4 x 4 x 15 milímetros3 |
| El otro tamaño está disponible a petición | |
| Tolerancia del tamaño | Z-AXIS: ± 0.2m m |
| X-AXIS y Y-AXIS: ± 0.1m m | |
| Chanfer | menos de 0,5 milímetros en |
| Exactitud de la orientación | Z-AXIS: < ′ ±5, X-AXIS y Y-AXIS: < ±10 ′ |
| Paralelismo | <20 ′ del ′ |
| Final | 10/5 rasguño/empuje |
| Llanura | λ/8 en 633nm |
| AR-capa | El R<0.2% @1064nm |
| Electrodos | El oro/Chrome plateó en X-caras |
| Distorsión del frente de onda | <λ/4 @633nm |
| Ratio de la extinción | >400:1 @633nm, haz del φ 6m m |
Persona de Contacto: Ms. Wu
Teléfono: 86-18405657612
Fax: 86-0551-63840588
