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| Nombre De La Marca: | Crystro |
| Número De Modelo: | Se aplicará el procedimiento siguiente: |
| Cuota De Producción: | 1 por ciento |
| Precio: | Negociable |
| Tiempo De Entrega: | 3 a 4 semanas |
| Condiciones De Pago: | T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal y otras formas de pago. |
Fase experimental de alta presión del sustrato óptico de la oblea LaAlO3
LaAlO3Es un buen material de sustrato para el crecimiento epitaxial de películas finas superconductoras de alta temperatura y películas finas magnéticas gigantes.Sus propiedades dieléctricas son adecuadas para aplicaciones de microondas y resonancia dieléctrica de baja pérdida.
LaAlO3El cristal único proporciona una buena combinación de rejilla a muchos materiales con estructura de perovskita. Es un excelente sustrato para el crecimiento epitaxial de superconductores de alta Tc,películas finas magnéticas y ferroeléctricasLas propiedades dieléctricas del cristal LaAlO3 son muy adecuadas para aplicaciones de microondas y resonancia dieléctrica de baja pérdida.
Aplicaciones:
Dispositivos electrónicos, catálisis, pilas de combustible de alta temperatura, cerámica, tratamiento de aguas residuales, materiales de sustrato
Ventajas principales:
Constantes dieléctricas pequeñas; bajas pérdidas dieléctricas;buena compatibilidad de las rejillas;coeficiente de expansión térmica pequeño;buena estabilidad química;amplia brecha energética;gran superficie específica;cierta actividad.buena estabilidad térmica
Propiedades principales:
| Propiedades físicas típicas | |
| Estructura de cristal | A = 3,79 Angstroms cúbicos |
| Método de crecimiento | Czochralski |
| Densidad | 6.52 g/cm3 |
| Punto de fusión | 2080oC. Las |
| Expansión térmica | 10 (x10)-6 años/oC) Las |
| Constante dieléctrica | ~ 25 años |
| Tangente de pérdida a 10 GHz | ~ 3x10-4 años@ 300K, ~ 0.6 x10-4 años@77K |
| Color y apariencia | Transparente a marrón basado en la condición de recocido. |
| Estabilidad química | Insoluble en ácidos minerales a 25oC y soluble en H3PO3 a> 150oC. Las |
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| Nombre De La Marca: | Crystro |
| Número De Modelo: | Se aplicará el procedimiento siguiente: |
| Cuota De Producción: | 1 por ciento |
| Precio: | Negociable |
| Detalles Del Embalaje: | Embalaje de cartón |
| Condiciones De Pago: | T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal y otras formas de pago. |
Fase experimental de alta presión del sustrato óptico de la oblea LaAlO3
LaAlO3Es un buen material de sustrato para el crecimiento epitaxial de películas finas superconductoras de alta temperatura y películas finas magnéticas gigantes.Sus propiedades dieléctricas son adecuadas para aplicaciones de microondas y resonancia dieléctrica de baja pérdida.
LaAlO3El cristal único proporciona una buena combinación de rejilla a muchos materiales con estructura de perovskita. Es un excelente sustrato para el crecimiento epitaxial de superconductores de alta Tc,películas finas magnéticas y ferroeléctricasLas propiedades dieléctricas del cristal LaAlO3 son muy adecuadas para aplicaciones de microondas y resonancia dieléctrica de baja pérdida.
Aplicaciones:
Dispositivos electrónicos, catálisis, pilas de combustible de alta temperatura, cerámica, tratamiento de aguas residuales, materiales de sustrato
Ventajas principales:
Constantes dieléctricas pequeñas; bajas pérdidas dieléctricas;buena compatibilidad de las rejillas;coeficiente de expansión térmica pequeño;buena estabilidad química;amplia brecha energética;gran superficie específica;cierta actividad.buena estabilidad térmica
Propiedades principales:
| Propiedades físicas típicas | |
| Estructura de cristal | A = 3,79 Angstroms cúbicos |
| Método de crecimiento | Czochralski |
| Densidad | 6.52 g/cm3 |
| Punto de fusión | 2080oC. Las |
| Expansión térmica | 10 (x10)-6 años/oC) Las |
| Constante dieléctrica | ~ 25 años |
| Tangente de pérdida a 10 GHz | ~ 3x10-4 años@ 300K, ~ 0.6 x10-4 años@77K |
| Color y apariencia | Transparente a marrón basado en la condición de recocido. |
| Estabilidad química | Insoluble en ácidos minerales a 25oC y soluble en H3PO3 a> 150oC. Las |