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ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.
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Materiales magnetoópticos bajos de Rod TSAG de la absorción

China ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. certificaciones
China ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. certificaciones
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Materiales magnetoópticos bajos de Rod TSAG de la absorción

Low Absorption Rod TSAG Magneto Optic Materials
Low Absorption Rod TSAG Magneto Optic Materials
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Ampliación de imagen :  Materiales magnetoópticos bajos de Rod TSAG de la absorción

Datos del producto:
Lugar de origen: CHINA
Nombre de la marca: Crystro
Certificación: SGS/ROHS
Número de modelo: JCR200608-02
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1PC
Detalles de empaquetado: Caja limpia transparente
Tiempo de entrega: 3-4 semanas
Condiciones de pago: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Capacidad de la fuente: 1000pcs por semana
Descripción detallada del producto
Tipo: TSAG Rod Diámetro: 1-70m m
Tolerancia del diámetro: +0/-0.05mm Tolerancia de la longitud: +/-0.2mm
Ratio de la extinción: hasta 35dB Calidad superficial: 10-5
Capa de AR: <0> Onda Front Distortion: <1>
Alta luz:

Granate del galio del gadolinio

,

Substrato de GGG

,

TSAG Rod Magneto Optic Materials

Cristales de TSAG para la absorción baja del aislador de Faraday que cristales de TGG

 

Descripción:

 

El cristal de TSAG Faraday es un cristal magnetoóptico ideal, que se utiliza principalmente en el radio de acción de longitud de onda de 400-1600 nanómetros, las bandas a saber visibles e infrarrojas. TSAG es un cristal imprescindible para la siguiente generación de lasers de alta potencia debido a sus ventajas de propiedades termales y mecánicas arriba constantes, buenas. Comparado con TGG, el Verdet constante en 1064 nanómetro de TSAG es el 20% más alto y la absorción es el 30% más bajo. Recientemente, las propiedades ópticas y del centelleo del cristal de TSAG (Tb3Sc2Al3O12) fueron investigadas, y las capacidades que se utilizarán como pantalla del scintillator fueron demostradas.

 

 

Características:

  • Constante grande de Verdet (48 radT-1m-1 en 1064 nanómetro), el cerca de 20% más alto que el de TGG;

  • Absorción baja (<3000 ppm/cm en 1064 nanómetro), el cerca de 30% menos que el de TGG

  • Poder más elevado obediente;

  • Birrefringencia termal-inducida punto bajo;

  • Haciendo el aislador pequeño.

 

Usos:

  •  

    Aislador de Faraday basado en el cristal de TSAG para los lasers del poder más elevado

  • En este estudio un aislador basado en un nuevo medio magneto-activo - cristal de Faraday de TSAG - que proporcionaba un ratio del aislamiento más de DB de 30 en el poder del laser hasta 500 W se ha construido por primera vez. Las medidas y las valoraciones demuestran eso con la reducción prevista en el coeficiente de absorción de cristales crecidos y el uso de la orientación óptima de hachas cristalográficas que sería posible construir un FI tradicional para un poder del laser de más de 1 kilovatio.

  •  

  • Usos de la proyección de imagen: Propiedades del centelleo del cristal de TSAG para los usos de la proyección de imagen

    Las propiedades ópticas y del centelleo del cristal de TSAG (Tb3Sc2Al3O12) fueron investigadas, y las capacidades que se utilizarán como pantalla del scintillator fueron demostradas. En los espectros de (PL) del photoluminescence, algunas líneas de emisión debido a las transiciones de Tb3+ 4f-4f aparecieron de 500 a 700 nanómetro. Las producciones de quántum del PL de TGG y de TSAG eran 6,5 y 50,9%, respectivamente. Cuando eran irradiados por las radiografías, estos cristales mostraron el centelleo intenso, y las longitudes de onda de la emisión eran lo mismo que ésas en espectros del PL. Los tiempos de decaimiento del centelleo de TSAG eran 678 μs, respectivamente.

     

     

 

Propiedades principales:

         

Gama de la transmitencia (bulto/sin recubrimiento) 400-1600nm
Estructura cristalina Cúbico, grupo de espacio Ia3d
Fórmula química Tb3Sc2Al3O12
Parámetro del enrejado a=12.3Å
Método del crecimiento Czochralski
Densidad 5.91g/cm3
Punto de fusión 1970℃±10℃

 

 

Cristal de la fuente TGG de CRYSTRO con:

 

 

Orientación ±15 ′
Distorsión del frente de onda <λ/8
Ratio de la extinción >30dB
Tolerancia del diámetro +/-0.05mm
Tolerancia de la longitud +/-0.1mm
Chaflán 0.1m m @ 45°
Llanura <λ/10 en 633nm
Paralelismo <3 ′
Perpendicularity <5 ′
Calidad superficial 10/5
Capa de AR el <0.3% @ 1064nm

Contacto
ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

Persona de Contacto: Wu

Teléfono: 86-18405657612

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