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ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.
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La oblea piezoeléctrica de LiNbO3 LiTaO3 para el semiconductor POI y MEMS modificó para requisitos particulares

China ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. certificaciones
China ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. certificaciones
Las miradas rápidas de la entrega y de la calidad buenas, probarán pronto. ¡Gracias!

—— Jhon Klus

Un proveedor estable de nosotros, equipo muy profesional.

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Crystro es un proveedor a largo plazo de nosotros, somos felices al coopertate con un proveedor con una buena capacidad y la buena calidad, la calidad es muy importante para nosotros.

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La oblea piezoeléctrica de LiNbO3 LiTaO3 para el semiconductor POI y MEMS modificó para requisitos particulares

Piezo LiNbO3 LiTaO3 Wafer For Semiconductor POI And MEMS Customized
Piezo LiNbO3 LiTaO3 Wafer For Semiconductor POI And MEMS Customized Piezo LiNbO3 LiTaO3 Wafer For Semiconductor POI And MEMS Customized

Ampliación de imagen :  La oblea piezoeléctrica de LiNbO3 LiTaO3 para el semiconductor POI y MEMS modificó para requisitos particulares

Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: Crystro
Certificación: SGS/COC
Número de modelo: CR2202241-04
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1pc
Precio: USD 20~200/pc
Detalles de empaquetado: Caja limpia transparente
Tiempo de entrega: 1-4weeks
Condiciones de pago: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Capacidad de la fuente: 20000pcs por mes
Descripción detallada del producto
Material: Oblea piezoeléctrica modificada para requisitos particulares de LiNbO3 LiTaO3 para el semiconductor Diámetro: 2inch-8inch
Crsytal: LiNbO3 /LiTaO3 /Qurtz Usos: Dispositivos de onda acústica superficial
Gama de la transparencia: 400 – 5000 nanómetro final: DSP, SSP
Certificación: ISO:9001, ISO:14001 Orientación: X-112°Y, 36°Y, 42°Y±0.5
Alta luz:

Oblea modificada para requisitos particulares LiTaO3

,

Oblea del POI LiTaO3 del semiconductor

,

Oblea del semiconductor MEMS LiTaO3

Oblea piezoeléctrica modificada para requisitos particulares de LiNbO3 LiTaO3 para el semiconductor POI y MEMS
 
Crystro puede modificar las obleas para requisitos particulares piezoeléctricas acústicas superficiales incluyendo:

El niobato del litio, el tantalato del litio, el cristal de cuarzo como orientación que corta reuqired y el tamaño, nuestros cristales del efecto piezoeléctrico son crecidos por el método de Czochralski. El alcance máximo 6inch del diámetro, podemos tamaño de encargo y espec., diámetro<0> 3" 4" 6" del rougness las obleas están todas disponibles según el requisito.


Crystro posee el equipo de marcado del Profiler, del laser de Corning Flatmaster 200, AOI y la línea de la limpieza de 6 pasos.

 

Crystro proporciona:

 

Propiedad fotoeléctrica excelente
Alto umbral de daño
Alta temperatura de curie

 

La oblea piezoeléctrica de LiNbO3 LiTaO3 para el semiconductor POI y MEMS modificó para requisitos particulares 0


Propiedades básicas de LiTaO3:

 

Material Niobato del litio Tantalato del litio Cristal de cuarzo
Diámetro/tamaño 3' ‘, 4" ‘, 6" ‘, 8" ‘ 3' ‘, 4" ‘, 6" ‘ 3' ‘, 4" ‘, 5" ‘, 6" ‘, 8" ‘
Tipo cortado X / Y/Z X / Y-Z/X-112Y X / Y/Z
36Y/64Y/128Y 28Y/36Y/42Y EN/ST/DESPEGUE
Final superficial Pulimento lateral doble/solo pulimento lateral
Grueso 0.25m m/0.35m m/0.50m m/1.00m m/2.00m m
TTV < 5um="">
PLTV >el 98% (5mm*5m m)
LTV < 1="">
Arco -25um < Bow="">
Deformación < 30um="">
Aspereza Ra<0>
Temporeros del curie. 1142℃ ± 2℃ 605℃ ± 2℃ 573℃
Perfil del borde Tierra redonda, forma de “C”
Planos 22±2m m, 32.5±2m m, 47.5±2m m, 57.5±2m m, hacen muescas en
Según la petición
Dope con Er, MgO FE con o sin la semilla
Front Side Ra de la aspereza<>
Lado trasero Ra de la aspereza: 0,2--0.7um GC#1000, GC#2000
Aspecto Ningunas grietas, vieron las marcas, manchas
Solo Domian Polarización terminada/reducido Ninguna tensión


 

Contacto
ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

Persona de Contacto: Ms. Wu

Teléfono: 86-18405657612

Fax: 86-0551-63840588

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