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Detalles de los productos

Created with Pixso. En casa Created with Pixso. Productos Created with Pixso.
Substratos de cristal único
Created with Pixso. Wafer redondo LaAlO3 Substrato óptico de alta presión Fase experimental de doble lado pulido

Wafer redondo LaAlO3 Substrato óptico de alta presión Fase experimental de doble lado pulido

Nombre De La Marca: Crystro
Número De Modelo: Se aplicará el procedimiento siguiente:
Cuota De Producción: 1 por ciento
Precio: Negociable
Tiempo De Entrega: 3 a 4 semanas
Condiciones De Pago: T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal y otras formas de pago.
Información detallada
Lugar de origen:
China
Certificación:
SGS
orientación:
El valor de las emisiones de CO2
El tipo:
Ronda, cuadrado
Diámetro:
2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas
El grosor:
0.5m m, 1m m
Pulido:
lado doble pulido
Finalización de la superficie:
< 10A="">
El material:
LaAlO3
Forma de las piezas:
OBLEA
Detalles de empaquetado:
Embalaje de cartón
Capacidad de la fuente:
1000 piezas al mes
Resaltar:

solos elementos cristalinos

,

substrato laalo3

,

Substrato óptico de la oblea LaAlO3

Descripción del producto

Fase experimental de alta presión del sustrato óptico de la oblea LaAlO3

 

LaAlO3Es un buen material de sustrato para el crecimiento epitaxial de películas finas superconductoras de alta temperatura y películas finas magnéticas gigantes.Sus propiedades dieléctricas son adecuadas para aplicaciones de microondas y resonancia dieléctrica de baja pérdida.

LaAlO3El cristal único proporciona una buena combinación de rejilla a muchos materiales con estructura de perovskita. Es un excelente sustrato para el crecimiento epitaxial de superconductores de alta Tc,películas finas magnéticas y ferroeléctricasLas propiedades dieléctricas del cristal LaAlO3 son muy adecuadas para aplicaciones de microondas y resonancia dieléctrica de baja pérdida.

 

Aplicaciones:

 

Dispositivos electrónicos, catálisis, pilas de combustible de alta temperatura, cerámica, tratamiento de aguas residuales, materiales de sustrato

 

Ventajas principales:

 

Constantes dieléctricas pequeñas; bajas pérdidas dieléctricas;buena compatibilidad de las rejillas;coeficiente de expansión térmica pequeño;buena estabilidad química;amplia brecha energética;gran superficie específica;cierta actividad.buena estabilidad térmica

 

Propiedades principales:

 

  Propiedades físicas típicas
Estructura de cristal A = 3,79 Angstroms cúbicos
Método de crecimiento Czochralski
Densidad 6.52 g/cm3
Punto de fusión 2080oC. Las
Expansión térmica 10 (x10)-6 años/oC) Las
Constante dieléctrica ~ 25 años
Tangente de pérdida a 10 GHz ~ 3x10-4 años@ 300K, ~ 0.6 x10-4 años@77K
Color y apariencia Transparente a marrón basado en la condición de recocido.
Estabilidad química Insoluble en ácidos minerales a 25oC y soluble en H3PO3 a> 150oC. Las
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Detalles De Los Productos

Created with Pixso. En casa Created with Pixso. Productos Created with Pixso.
Substratos de cristal único
Created with Pixso. Wafer redondo LaAlO3 Substrato óptico de alta presión Fase experimental de doble lado pulido

Wafer redondo LaAlO3 Substrato óptico de alta presión Fase experimental de doble lado pulido

Nombre De La Marca: Crystro
Número De Modelo: Se aplicará el procedimiento siguiente:
Cuota De Producción: 1 por ciento
Precio: Negociable
Detalles Del Embalaje: Embalaje de cartón
Condiciones De Pago: T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal y otras formas de pago.
Información detallada
Lugar de origen:
China
Nombre de la marca:
Crystro
Certificación:
SGS
Número de modelo:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
orientación:
El valor de las emisiones de CO2
El tipo:
Ronda, cuadrado
Diámetro:
2 pulgadas, 3 pulgadas, 4 pulgadas
El grosor:
0.5m m, 1m m
Pulido:
lado doble pulido
Finalización de la superficie:
< 10A="">
El material:
LaAlO3
Forma de las piezas:
OBLEA
Cantidad de orden mínima:
1 por ciento
Precio:
Negociable
Detalles de empaquetado:
Embalaje de cartón
Tiempo de entrega:
3 a 4 semanas
Condiciones de pago:
T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal y otras formas de pago.
Capacidad de la fuente:
1000 piezas al mes
Resaltar:

solos elementos cristalinos

,

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,

Substrato óptico de la oblea LaAlO3

Descripción del producto

Fase experimental de alta presión del sustrato óptico de la oblea LaAlO3

 

LaAlO3Es un buen material de sustrato para el crecimiento epitaxial de películas finas superconductoras de alta temperatura y películas finas magnéticas gigantes.Sus propiedades dieléctricas son adecuadas para aplicaciones de microondas y resonancia dieléctrica de baja pérdida.

LaAlO3El cristal único proporciona una buena combinación de rejilla a muchos materiales con estructura de perovskita. Es un excelente sustrato para el crecimiento epitaxial de superconductores de alta Tc,películas finas magnéticas y ferroeléctricasLas propiedades dieléctricas del cristal LaAlO3 son muy adecuadas para aplicaciones de microondas y resonancia dieléctrica de baja pérdida.

 

Aplicaciones:

 

Dispositivos electrónicos, catálisis, pilas de combustible de alta temperatura, cerámica, tratamiento de aguas residuales, materiales de sustrato

 

Ventajas principales:

 

Constantes dieléctricas pequeñas; bajas pérdidas dieléctricas;buena compatibilidad de las rejillas;coeficiente de expansión térmica pequeño;buena estabilidad química;amplia brecha energética;gran superficie específica;cierta actividad.buena estabilidad térmica

 

Propiedades principales:

 

  Propiedades físicas típicas
Estructura de cristal A = 3,79 Angstroms cúbicos
Método de crecimiento Czochralski
Densidad 6.52 g/cm3
Punto de fusión 2080oC. Las
Expansión térmica 10 (x10)-6 años/oC) Las
Constante dieléctrica ~ 25 años
Tangente de pérdida a 10 GHz ~ 3x10-4 años@ 300K, ~ 0.6 x10-4 años@77K
Color y apariencia Transparente a marrón basado en la condición de recocido.
Estabilidad química Insoluble en ácidos minerales a 25oC y soluble en H3PO3 a> 150oC. Las