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SGGG Crystal (Ca-Mg-Zr Doped Gadolinium Gallium Garnet), material de sustrato profesional especialmente aplicado para el crecimiento epitaxial de películas finas de granate de hierro bismuto

Name: SGGG Crystal (Ca-Mg-Zr Doped Gadolinium Gallium Garnet), material de sustrato profesional especialmente aplicado para el crecimiento epitaxial de películas finas de granate de hierro bismuto
Brand: ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.
SKU: SCR-2026-26-02
Price: 110.00 USD
Availability: InStock

Nombre De La Marca:	Crystro
Número De Modelo:	SCR-2026-26-02
Tiempo De Entrega:	5-6 SEMANAS
Condiciones De Pago:	T/T, Western Union, , Paypal

Información detallada

Descripción del producto

Información detallada

Lugar de origen:

Porcelana

Materiales:

SGGG

Fórmula molecular:

Gd3GasO12 sustituido

Estructura cristalina:

Sistema de cristal cúbico

Enreje constante:

a=12.497A

Métodos de cultivo:

Czochralski

Dureza de Mohs:

7.5

Densidad:

7.09 g/cm3

Punto de fusión:

1730°C

Coeficiente de reflexión:

1,954 a 1064 nm

Resaltar:

SGGG Substrato cristalino para el crecimiento epitaxial

Granate de gallio de gadolinio dopado con Ca-Mg-Zr

Material de película delgada de granate de hierro bismuto

Descripción del producto

SGGG Crystal (Ca-Mg-Zr Doped Gadolinium Gallium Garnet), material de sustrato profesional especialmente aplicado para el crecimiento epitaxial de películas finas de granate de hierro bismuto,alta uniformidad óptica y estructura de red cristalina estable para dispositivos magnetoópticos.

Los sustratos de granate de galio de gadolinio (GGG), uno de los materiales desarrollados más tempranos para su uso como sustratos, son inadecuados debido a sus constantes de red extremadamente pequeñas.que utilizan calcioEl magnesio y el zirconio, como iones de sustitución, son más adecuados como sustratos para las películas epitaxiales de bismuto-hierro granate.

Nombre del indicador	Dimensiones u otra información	Indicadores de referencia
Dimensional	Tamaño nominal	3/4 pulgadas
Diámetro (mm)	3" de largo	76.20 ± 0.3
	4" de largo.	101.60 ± 0.3
espesor (mm)	3" de largo	630 ± 30
	4" de largo.	800±30 o según las necesidades
Las cristalópticas	/	(111) ± 0,1°
Constante de red	/	12.497±0.003A
Posicionar los bordes	Margen de posicionamiento principal	[-110] ± 2°
	Subposición de los bordes	[-1-12] ± 2°
Calidad de la superficie	Planaje (grado)	Valor máximo valor mínimo dentro del 80% del centro del área de cobertura ≤ 6um
	TTV	Valor máximo - valor mínimo dentro del 80% del centro del área de cobertura ≤ 6um
	Dislocación (dislocación)	Dentro del 80% del área de cobertura, región central < 10/cm2
		Dentro del 10% del área central que cubra el 80% de la superficie total
Otros defectos (Extrusión de la superficie)		Dentro del 10% del área central que cubra el 80% de la superficie total

Características principales:

Baja densidad de fallas.

Alta consistencia en las constantes de la red.

Aplicaciones típicas:

El material de sustrato para películas magnetoeléctricas epitaxiales grandes.

Refrigerador magnético.

Las etiquetas:

Sustrato monocristalino de aluminato de lantano LaAlO3 para película delgada superconductora de alta temperatura y magnetorresistencia gigante

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Substratos de cristal único

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Estructura cristalina:

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Enreje constante:

a=12.497A

Métodos de cultivo:

Czochralski

Dureza de Mohs:

7.5

Densidad:

7.09 g/cm3

Punto de fusión:

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Coeficiente de reflexión:

1,954 a 1064 nm

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Constante de red	/	12.497±0.003A
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	Subposición de los bordes	[-1-12] ± 2°
Calidad de la superficie	Planaje (grado)	Valor máximo valor mínimo dentro del 80% del centro del área de cobertura ≤ 6um
	TTV	Valor máximo - valor mínimo dentro del 80% del centro del área de cobertura ≤ 6um
	Dislocación (dislocación)	Dentro del 80% del área de cobertura, región central < 10/cm2
		Dentro del 10% del área central que cubra el 80% de la superficie total
Otros defectos (Extrusión de la superficie)		Dentro del 10% del área central que cubra el 80% de la superficie total

Características principales:

Baja densidad de fallas.

Alta consistencia en las constantes de la red.

Aplicaciones típicas:

El material de sustrato para películas magnetoeléctricas epitaxiales grandes.

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Cristales magnetoópticos

Substratos de cristal único

Cristales de efecto piezoeléctrico

Isolador de Faraday

Cristales de chispa

Cristales láser

Interruptor de la célula Q de Pockels

Otros cristales simples

Cristal de TGG

Cristal de TSAG

GGG Cristal

Wafer de LaAlO3

Q Cristales de cambio

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