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Datos del producto:
Pago y Envío Términos:
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| Producto: | Alta producción Gd3Al2Ga3O12 de Efficiencyht de la emisión ligera: Ce (GAGG: Ce) Crystal Wafer | Formular químico: | Gd3Al2Ga3O12 |
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| Densidad: | 6.63g/cm3 | Tolerancia del tamaño: | ±0.05mm |
| Calidad superficial: | 10/5 | Abertura clara: | >el 90% |
| Charmfer: | <0> | Uso: | ANIMAL DOMÉSTICO, SPECT, CT. |
| Alta luz: | Cristales de Scintilation del Ce de GAGG,Cristales de Scintilation del Ce Gd3Al2Ga3O12,Alto Ce de la emisión ligera GAGG |
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Alta producción Gd3Al2Ga3O12 de Efficiencyht de la emisión ligera: Ce (GAGG: Ce) Crystal Wafer
GAGG (Ce) (Ce: GAGG, Gd3Al2Ga3O12) es nuevo scintillator para la detección del electrón de la tomografía computada de la sola emisión del fotón (SPECT), del rayo gamma y de compton. GAGG dopados cerio tienen muchas propiedades que hagan conveniente para los usos de la espectroscopia gamma y de la proyección de imagen médica. Un alto pico alrededor 520 nanómetro de la producción y de la emisión del fotón hace el material bien adaptado para ser lectura por los detectores del fotomultiplicador del silicio.
Alta densidad
Alta producción ligera
Tiempo de decaimiento rápido
Químicamente inerte
Alta sensibilidad
Resolución de alta energía
Ventajas principales:
Usos principales:
Propiedades principales:
| Fórmula química | ₂ del ₁ del ₃ O del ₂ GA del Al del ₃ de Gd |
| Número atómico (eficaz) | 54,4 |
| Método del crecimiento | Czochralski |
| Densidad | 6.63g/cm3 |
| Dureza de Mohs | 8 |
| Punto de fusión | 1850℃ |
| Coeficientes de la extensión termal. | TBA x ⁶ de 10 ‾ |
Especificaciones:
| Chaflán | <0> |
| Tolerancia de la orientación | < 0=""> |
| Tolerancia del grueso/del diámetro | ±0.05 milímetro |
| Abertura clara | >el 90% |
| Distorsión del frente de onda | diámetro 70m m |
| Calidad superficial | 10/5 (rasguño/empuje) |
| Paralelo | 10 ″ |
| Perpendicular | 5 ′ |
Persona de Contacto: Ms. Wu
Teléfono: 86-18405657612
Fax: 86-0551-63840588
